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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2286
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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