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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
44
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2374
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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