RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
3277
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link