RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
55
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
55
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2293
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link