RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2879
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link