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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
117
En -318% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
117
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,094.8
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,303.7
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
784
2833
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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