RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
21.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link