RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
21.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339.M16F 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link