RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link