RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4349
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link