RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
71
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1757
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link