RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2490
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link