RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
68
En -240% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3540
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link