RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
68
En -240% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3540
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link