RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
68
Около -240% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3540
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link