RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
68
En -119% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
2585
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link