RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
68
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,670.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,554.9
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2585
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link