RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3177
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link