RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,670.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,554.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.7
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
513
3029
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link