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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
2534
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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