RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,583.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,895.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,583.7
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
639
2534
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link