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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
122
Autour de 51% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.8
2,381.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
122
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
1411
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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