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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3415
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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