RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3860
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link