RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
63
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
3005
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link