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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
56
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
56
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2071
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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