RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2978
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link