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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
16.4
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2978
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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