RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2978
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link