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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2978
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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