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SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Compara
SK Hynix Kingston 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix Kingston 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix Kingston 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
53
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,544.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,538.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,544.0
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
529
2613
SK Hynix Kingston 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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