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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
3650
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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