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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3650
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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