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Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
比较
Corsair CM3X2G1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
总分
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
11.9
13.5
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1889
2757
Corsair CM3X2G1600C9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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