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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
3291
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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