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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
12.3
16.0
写入速度,GB/s
7.3
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3291
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
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