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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2339
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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