RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
2339
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link