RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
2524
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link