RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
70
En -94% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3169
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link