RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
70
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2897
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link