RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
14.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
70
En -75% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
40
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2965
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link