RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
70
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2965
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link