RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2157
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link