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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
70
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3206
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
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