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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
70
En -112% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,372.7
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
3,071.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2774
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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