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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
22.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3837
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre D4 8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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