RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1453
3837
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link