RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
66
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
66
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
1699
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link