RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
66
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
66
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
1699
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link