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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2690
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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