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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
3427
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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